Описание
Основные технические характеристики MRU-200
Сокращение «е.м.р.» в определении основной погрешности обозначает «единица младшего разряда»
Сокращение «и.в.» в определении основной погрешности обозначает «измеренная величина»
Измерение напряжении помех UN (RMS)
Диапазон Разрешение Погрешность основная
0…100 В 1 В ± (2% и. в. + 3 е. м. р.)
частота fN 45…65 Гц
частота измерения – минимум два измерения/с
Измерение сопротивления проводников и выравнивания потенциалов (2p)
Диапазон Разрешение Погрешность основная
0,00…19,99 Ом 0,01 Ом ± (2% и. в. + 2 е. м. р.)
20,0…199,9 Ом 0,1 Ом
200…1999 Ом 1 Ом
2,00…9,99 кОм 0,01 кОм ± (2% и. в. + 2 е. м. р.)
10,0…19,9 кОм 0,1 кОм
Измерение сопротивления проводников и выравнивания потенциалов (3p, 4p)
Диапазон Разрешение Погрешность основная
0,00…19,99 Ом 0,01 Ом ± (2% и. в. + 2 е. м. р.)
20,0…199,9 Ом 0,1 Ом
200…1999 Ом 1 Ом
2,00…9,99 кОм 0,01 кОм ± (5% и. в. + 4 е. м. р.)
10,0…19,9 кОм 0,1 кОм
Измерение сопротивления сложных заземляющих устройств с использованием клещей (3p+клещи)
Диапазон Разрешение Погрешность основная
0,00…19,99 Ом 0,01 Ом ± (8% и. в. + 3 е. м. р.)
20,0…199,9 Ом 0,1 Ом
200…1999 Ом 1 Ом
Измерение сопротивления заземляющих устройств методом двух клещей
Диапазон Разрешение Погрешность основная
0,00…19,99 Ом 0,01 Ом ± (10% и. в. + 3 е. м. р.)
20,0…149,9 Ом 0,1 Ом ± (20% и. в. + 3 е. м. р.)
Измерение удельного сопротивления грунта
Измерение согласно методу Веннера, ρ = 2πLRE
Диапазон Разрешение Погрешность основная
0,0…199,9⋅м 0,1 Ом⋅м Зависит от основной
погрешности RE
при измерении методом
4p но не менее ±1 е.м.р.
200…1999 Ом ⋅м 1 Ом⋅м
2,00…19,99 кОм ⋅ м 0,01 кОм⋅м
20,0…99,9 кОм⋅м 0,1 кОм⋅м
100…999 кОм⋅м 1 кОм⋅м
расстояние между измерительными зондами (L): 1…50м
Измерение сопротивления измерительных зондов
Диапазон Разрешение Погрешность основная
0…999 Ом 1 Ом ±5%(RE+RH+RS)+8 е.м.р.
1,00…9,99 кОм 1 кОм
10,0…19,9 кОм 0,1 кОм
